• <table id="os0oo"><noscript id="os0oo"></noscript></table>
  • <menu id="os0oo"></menu>
    • <table id="os0oo"><noscript id="os0oo"></noscript></table>

    • 中文
    圖文詳情

    SILICON CARBIDE(SIC) SUBSTRATE SPECIFICATION

    6-8英寸碳化硅襯底

    待議

    產品詳情

    上一個 : 碳化硅晶片位錯密度檢測 ---碳化硅KOH腐蝕檢測 下一個 : 碳化硅加工服務 SiC ingot and/or wafering service
    SILICON CARBIDE(SIC) SUBSTRATE SPECIFICATION
    6-8英寸碳化硅襯底
    長按識別二維碼查看詳情
    復制產品鏈接
    長按圖片保存/分享
    詢盤

    咨詢表單：

    • 請輸入驗證碼

    咨詢內容：

    你還沒有添加任何產品

    - 聯系我們 -

    contact us

    公司地址：江蘇省南京市江北新區龍泰路8號潤誠科技園17-18棟

    ADD:Building 17-18, Runcheng Science Park, No.8, Longtai Road, Jiangbei, Nanjing, Jiangsu Province

    聯系電話：025-58573912
    TEL:+86-25-58573912
    電子郵箱：info@hypersics.com

    WeChat：Hypersics

    COPYRIGHT (©) 2022 Hypersics Semiconductor Co Ltd 

    添加微信好友，詳細了解產品
    使用企業微信
    “掃一掃”加入群聊
    復制成功
    添加微信好友，詳細了解產品
    我知道了
    日本亚洲综合伊人久久,精品国产一区二区,狠狠爱中文字幕,国产精品第一页第一页
  • <table id="os0oo"><noscript id="os0oo"></noscript></table>
  • <menu id="os0oo"></menu>
    • <table id="os0oo"><noscript id="os0oo"></noscript></table>