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    碳化硅晶片位錯密度檢測 ---碳化硅KOH腐蝕檢測

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    碳化硅晶片位錯密度檢測

    ---碳化硅KOH腐蝕檢測

    一、檢測方法原理

    缺陷擇優腐蝕是表征晶體質量的一個快速、有效的方法,特別是對于半導體單晶來說,腐蝕坑的形狀和密度呈現出了單晶的缺陷類型以及缺陷密度。SiC單晶襯底在堿性腐蝕劑中容易產生各向異性的腐 蝕,也就是不同晶向的腐蝕速度會有所差異。同時,又因為腐蝕速度的各向異性,導致在有缺陷的地方出現形狀規則的腐蝕坑,腐蝕坑的形狀和最密排面的原子排列方式有關。

    采用KOH化學腐蝕(KOH高溫腐蝕)技術從Si面顯示SiC襯底或外延材料中的位錯缺陷,用光學顯微鏡觀察樣品表面腐蝕坑,根據腐蝕坑的尺寸及形貌不同,可將腐蝕坑分為三類,如下圖1所示為我司腐蝕碳化硅晶片的位錯形貌的放大結果,包含螺位錯(TSD),刃位錯(TED),以及面位錯(BPD)等。

    將腐蝕坑歸類并計算每個視野內的位錯密度,最后計算晶片內的位錯密度及其分布情況,如圖2所示的柱狀圖,或圖3所示的二維平面圖。

    二、檢測標準

    1. GB_T 30868-2014 《碳化硅單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法》

    2.T/CASA 013-2021 《碳化硅晶片位錯密度檢測方法 KOH腐蝕結合圖像識別法》

    三、檢測樣品要求

    碳化硅拋光片襯底或外延片,樣品直徑200mm以內,厚度不限。

    聯系電話:025-58573912

    郵箱:info@hypersics.com

    碳化硅晶片位錯密度檢測 ---碳化硅KOH腐蝕檢測
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