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碳化硅晶片位錯密度檢測 ---碳化硅KOH腐蝕檢測
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碳化硅晶片位錯密度檢測
---碳化硅KOH腐蝕檢測
一、檢測方法原理
缺陷擇優腐蝕是表征晶體質量的一個快速、有效的方法，特別是對于半導體單晶來說，腐蝕坑的形狀和密度呈現出了單晶的缺陷類型以及缺陷密度。SiC單晶襯底在堿性腐蝕劑中容易產生各向異性的腐 蝕，也就是不同晶向的腐蝕速度會有所差異。同時，又因為腐蝕速度的各向異性，導致在有缺陷的地方出現形狀規則的腐蝕坑，腐蝕坑的形狀和最密排面的原子排列方式有關。
采用KOH化學腐蝕（KOH高溫腐蝕）技術從Si面顯示SiC襯底或外延材料中的位錯缺陷，用光學顯微鏡觀察樣品表面腐蝕坑，根據腐蝕坑的尺寸及形貌不同，可將腐蝕坑分為三類，如下圖1所示為我司腐蝕碳化硅晶片的位錯形貌的放大結果,包含螺位錯（TSD），刃位錯（TED），以及面位錯（BPD）等。
將腐蝕坑歸類并計算每個視野內的位錯密度，最后計算晶片內的位錯密度及其分布情況，如圖2所示的柱狀圖，或圖3所示的二維平面圖。
二、檢測標準
1. GB_T 30868-2014 《碳化硅單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法》
2.T/CASA 013-2021 《碳化硅晶片位錯密度檢測方法 KOH腐蝕結合圖像識別法》
三、檢測樣品要求
碳化硅拋光片襯底或外延片，樣品直徑200mm以內，厚度不限。
聯系電話：025-58573912
郵箱：info@hypersics.com
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